TDA21570 是英飞凌新一代高频、高密度同步降压 DrMOS，集成驱动、高低侧 MOSFET 与有源二极管，
主打服务器 / 高端 CPU/GPU 核心供电、70A 大电流、高效率、小体积，
由中天科工半导体（深圳）有限公司代理分销现货销售长期排单订货。以下是其详细介绍：
一、核心参数
型号：TDA21570AUMA1（量产推荐）
输入电压 VIN：4.25V – 16V
输出电压 VOUT：0.225V – 5.5V（@12V IN）
最大输出电流：70A
开关频率：100kHz – 1.5MHz
封装：PQFN-39（5×6×1mm，PG‑IQFN‑39）
温度范围：-40℃ – +125℃（工业级）
电流检测：5μA/A，精度 ±3%，带温度补偿
温度监测：8mV/℃ 模拟输出
二、内部集成与关键特性
全集成单芯片方案
低静态电流同步降压栅极驱动器
高侧（Q1）+ 低侧（Q2）OptiMOS™ 6 MOSFET
有源二极管结构：低 VSD、反向恢复电荷极小，媲美肖特基
封装优化布局、散热、时序，开关节点振铃最小化，EMI 更优
高效与瞬态性能
Body‑Braking™：负载瞬态快速关断，响应更快、电压跌落更小
二极管仿真模式：轻载防负电感电流，提升轻载效率
自举电容自动充电（Auto‑replenishment），避免过放
1.5MHz 高频：减小输出 LC 体积，功率密度更高
完善保护与故障诊断
逐周期过流 OCP（可编程阈值）
高侧 MOSFET 短路检测（HSS）
VDRV / 自举欠压 UVLO
过温保护 OTP + 热关断
深度睡眠模式（EN=LOW）：多相待机功耗极低
所有保护带故障标志输出，便于系统诊断
高精度传感
片上 MOSFET 电流检测，5μA/A、±3% 精度，优于传统电感 DCR 检测
芯片温度模拟输出（8mV/℃），支持外部监测
三、典型应用
服务器 CPU 核心供电（Intel/AMD 高端平台）
高性能 GPU 核心 / 显存供电
工作站 / 服务器 DDR 内存电源
高密度、大电流多相 DC‑DC 模块
四、与 TDA21472 的区别
TDA21570：5×6mm PQFN，70A，电流检测 5μA/A，精度 ±3%
TDA21472：5×6mm PQFN，70A，电流检测 5mV/A，精度稍低
21570 为新一代 OptiMOS™ 6，效率、EMI、保护与传感精度全面提升
131-2899-0370
2899280091
xilinx@casi-ic.com
Elan Tsao
